半導體和微電子

微芯片可以做到多?。繑?shù)十年以來，隨著智能手機、筆記本電腦、LED屏幕和其他電子產(chǎn)品的微芯片越來越小，技術(shù)行業(yè)的制造商不斷壓縮半導體的尺寸。半導體的線寬已經(jīng)從微米擠壓到了納米級別，同時還實現(xiàn)了更高的處理能力和記憶能力。一納米是一米的十億分之一，100,000納米并排才有人類頭發(fā)直徑粗細。 

這是摩爾定律的基礎(chǔ)，即一個集成電路上的晶體管數(shù)量每兩年就會翻一番。戈登·E·摩爾于1965年提出了這個大膽的說法，而時至今日，這條定律都一直生效。

但是，摩爾定律會繼續(xù)有效嗎？可能有兩個問題會拖慢半導體的發(fā)展腳步：生產(chǎn)更小、更強大的半導體成本高昂，制造和加工半導體時需要更高的純度。極小的外界微粒就可能對這些微觀半導體造成水缺陷；而這樣的缺陷可能降低良率，需要成本高昂的維護時間。 

簡而言之：隨著半導體線寬縮小，生產(chǎn)成本和純度難度會越來越高。

長期以來，戈爾一直是不斷突破這些挑戰(zhàn)的技術(shù)公司的合作伙伴。我們提供高流率的過濾器、微過濾介質(zhì)、電纜和各種密封解決方案，保障工藝無縫、安全地進行。我們的聚四氟乙烯(PTFE)材料呈化學惰性，經(jīng)久耐用，可為半導體制造商提供無可置疑的純度。

技術(shù)行業(yè)依賴聚四氟乙烯(PTFE)等含氟聚合物實現(xiàn)清潔度和化學兼容性。隨著半導體進一步縮小，制造商將需要在利用聚四氟乙烯(PTFE)薄膜創(chuàng)新方面取得幫助，以便讓微芯片變得更智能、更快、更小——而戈爾已經(jīng)找到了滿足這一需求的方法。

半導體的下一個重大新興科技是EUV光刻技術(shù)，這種工藝可以在半導體晶圓中刻寫更多電路。在光刻技術(shù)系統(tǒng)中，光線將圖像傳輸?shù)骄A上，就如同照相機利用光線將圖像傳輸?shù)侥z片上一樣。EUV光刻技術(shù)被視作計算機芯片的未來；其可以產(chǎn)生更短的波長，允許在一個芯片上容納更多電路。

雖然半導體行業(yè)仍然需要消除這一新方法帶來的挑戰(zhàn)，但戈爾正在放眼未來。2009 年，一家光學系統(tǒng)制造商委任戈爾為長期合作伙伴，以便為EUV光刻技術(shù)系統(tǒng)運轉(zhuǎn)所必不可少的超真空、低壓和超潔凈環(huán)境提供適用的電纜組件。

因為我們從早期即投入開發(fā)新EUV工藝使用的電纜接頭，我們在制造商采納新方法時已經(jīng)做好了協(xié)助準備。GORE?電纜降低了集塵問題，提升了系統(tǒng)性能和良率；無脫落和化學惰性的電纜是專門針對潔凈室使用而設(shè)計的。我們針對EUV光刻技術(shù)的全新系列電纜組件具有超低釋氣率，可防止在超真空環(huán)境下電纜組件釋放出的氣體凝結(jié)污染計算機芯片。我們的電纜質(zhì)量出眾，使戈爾成為市場上少數(shù)幾家可為EUV光刻技術(shù)提供清潔和測試產(chǎn)品的公司之一。

即使有些制造商尚未準備好采納EUV光刻技術(shù)，戈爾也提供各種實現(xiàn)高性能、高潔凈的電纜，包括針對加工設(shè)備、測試和測量以及集成的高柔性、高數(shù)據(jù)率和微波射頻電纜。

由于半導體尺寸極小，即使最輕微的污染也可能損害其性能。 

戈爾的材料能讓半導體加工環(huán)境保持潔凈。通過采用聚四氟乙烯(PTFE)作為基礎(chǔ)，我們的材料呈化學惰性，可耐受極端溫度，并且經(jīng)久耐用。我們的產(chǎn)品普遍比競爭對手的產(chǎn)品更小、更輕，是提升工藝良率和減少停機時間，以及成本的知名產(chǎn)品。

除了電纜和電纜組件之外，我們還提供：

• 微濾過濾介質(zhì)，提供薄膜和層壓兩種形式，可以集成到各種過濾外殼系統(tǒng)中。這些介質(zhì)可支持當今微電子行業(yè)性能最高的過濾器。
• 密封 解決方案，例如板狀墊片、密封墊片、帶狀墊片和GORE?接口密封件。每種產(chǎn)品均完全以膨體聚四氟乙烯（ePTFE），具有高抗蠕變和抗冷流性能，因此將一直保持固定，可靠密封。

35多年來，戈爾一直是全球技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)的主要合作伙伴，為高標準、嚴要求的工藝提供戈爾品質(zhì)的純度。隨著行業(yè)不斷適應技術(shù)趨勢的變化——智能手機和可穿戴設(shè)備越來越小，需要最小的半導體芯片——我們也將不斷創(chuàng)新，向技術(shù)公司提供關(guān)鍵的產(chǎn)品和支持，幫助他們縮小產(chǎn)品，提升利潤。